- M.2 2280-SSD, 1000 GB, PCI-Express x4 NVMe
- Bauhöhe: 2.30 mm
- Speicherverschlüsselung: 256-Bit-AES
- NAND Flash: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Lesegeschwindigkeit max.: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit max.: 6900 MB/s
- Unterstützt: TRIM, S.M.A.R.T und Device Sleep-Modus
Besonderheiten: Ohne Kühlkörper
| Artikel-Nr. | 1425204 |
| Herstellernummer | MZ-V9P1T0BW |
| Lagerbestand in Willisau | 177 |
| Bewertung |
Beschreibung
Höhere Leistung verbraucht oftmals mehr Strom. Nicht mit der 990 PRO. Erleben Sie rasante Geschwindigkeit beim Spielen, bei der Video- und 3D-Bearbeitung, der Datenanalyse und vielem mehr. Sie wurde speziell für Tech-Spezialisten, Gamer und Profis entwickelt, die häufig an der Erstellung und Bearbeitung von Videos oder Simulationen arbeiten. Mit der 3 bit-MLC V-NAND Technologie und dem bewährten Phoenix-Controller bietet Ihnen die 990 Pro unübertroffene Leistung und aussergewöhnliche Zuverlässigkeit in einem kleinen M.2 2280 Formfaktor.
NVMe-Protokoll für weniger Latenzen
In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.
Hohe Geschwindigkeit dank direkter PCIe-Anbindung
Bei dieser SSD werden die Daten mit PCI-Express übertragen, wodurch sie herkömmliche SATA-SSDs in puncto Übertragungsrate weit im Schatten stehen lässt. M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Sie eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.
Spezifikationen
Dimensionen
| SSD Bauhöhe | 2.30 mm |
| SSD Formfaktor | M.2 2280 |
Datenspeicher
| Lesegeschwindigkeit max. | 7450 MB/s |
| Schreibgeschwindigkeit max. | 6900 MB/s |
| NAND Flash | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| 4 KB sequential lesen IOPS | 1200000 IOPS |
| 4 KB sequential schreiben IOPS | 1550000 IOPS |
| Schnittstellen Standard | NVMe |
Speicher
| Speicherkapazität total | 1000 GB |
| Speicherschnittstelle | PCI-Express x4 |
| Anwendungsbereich SSD | Consumer |
Allgemein
| Besonderheiten | Ohne Kühlkörper |
Sicherheit
| Speicherverschlüsselung | 256-Bit-AES |
Hersteller
| Herstellername | Samsung |
| Herstellernummer | MZ-V9P1T0BW |
| Herstellergarantie | 60 Monate |
| Garantieinformationen | Samsung |
| Herstellerseite | Zum Hersteller |
Dienstleistungen
Geschenkverpackung
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